三安光電:正在崛起的化合物半導(dǎo)體龍頭

　　三安光電計劃增發(fā)募資不超過39億元投資廈門光電產(chǎn)業(yè)化(二期)和通訊微電子項目(一期),我們看好后者砷化鎵和氮化鎵半導(dǎo)體兩條生產(chǎn)線的長期前景,為三安打開全新增長空間。砷化鎵和氮化鎵在集成電路和軍工產(chǎn)業(yè)擁有舉足輕重地位,是國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金重點投資方向,而三安有望成為該領(lǐng)域全球龍頭。

　　我們預(yù)估三安15/16/17年EPS為0.9/1.25/1.57元,當(dāng)前估值對應(yīng)34/24/19倍,是電子股估值洼地。我們維持對“強烈推薦-A”評級,上調(diào)目標(biāo)價到50元。

　　LED業(yè)務(wù)推動業(yè)績高增長,MOCVD高開工率。三安14年收入45.8億元,增長22.71%。公司170臺MOCVD除研發(fā)機臺外,其余全部開滿,高開工率一方面支撐收入增長,另一方面顯著拉升公司毛利率。三安全年毛利率率高達(dá)45.05%,較2013年36.24%增長近9個百分點,14年三安季度毛利率逐季提升,Q4更是高達(dá)53.4%。在包含了參股璨圓匯兌虧損和轉(zhuǎn)入可供出售金融資產(chǎn)確認(rèn)虧損0.75億元之后,三安利潤依然實現(xiàn)41.15%的高速增長。

　　而公司1Q15業(yè)績增長加速到55%,高增長持續(xù)。

　　以GaAs和GaN制造進軍集成電路,打開長線增長空間。未來三安光電將砷化鎵和氮化鎵等III-V族半導(dǎo)體為核心打造集成電路產(chǎn)業(yè)。GaAs主要用于通訊領(lǐng)域,主要以6寸0.09-0.5微米制程為主,目前全球市場容量約60億美元,全球GaAs晶圓產(chǎn)能約為200萬片/年,隨著4G智能手機普及加速,支持多頻多模的砷化鎵PA持續(xù)供不應(yīng)求。GaN大功率、高頻率性能較硅和GaAs更加出色,主要應(yīng)用于軍事領(lǐng)域,目前市場容量大約2億美元,GaN需求將迅速在2020年左右沖擊10億美金大關(guān)。GaAs和GaN目前在國內(nèi)無6寸廠,三安布局這兩大稀缺材料,穩(wěn)坐國內(nèi)龍頭地位。

　　增發(fā)布局化合物半導(dǎo)體,全球龍頭隱現(xiàn)。三安增發(fā)不超過2.35億股募資不超過39億元,除了投資23億于廈門LED外延片/芯片二期之外,更大的亮點在于年產(chǎn)30萬片GaAs和年產(chǎn)6萬片GaN6寸生產(chǎn)線。三安在GaAs產(chǎn)業(yè)鏈中的地位是是芯片制造商,與臺灣的穩(wěn)懋、宏捷類似。目前穩(wěn)懋是GaAs芯片代工制造市場的龍頭,三安產(chǎn)線滿產(chǎn)后規(guī)模比穩(wěn)懋現(xiàn)有產(chǎn)線規(guī)模略大,全球產(chǎn)能市占率約在15-20%之間。而全球GaN第一代產(chǎn)品2010年才剛剛上市,目前軍事應(yīng)用占比約7成,未來電源、電動汽車、太陽能電池、通訊基站等市場前途無量。三安在國內(nèi)率先進入6寸GaN領(lǐng)域,與國際巨頭同臺。